X. Wallart: шукати на сайті Z-Library

physica status solidi (a)

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 304 KB

english, 1983

Graphene growth by molecular beam epitaxy using a solid carbon source

E. Moreau, F. J. Ferrer, D. Vignaud, S. Godey, X. Wallart

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 2010

A New Low Crosstalk InP Digital Optical Switch Based on Carrier-Induced Effects for 1.55-m Applications

Zegaoui, M., Decoster, D., Harari, J., Magnin, V., Wallart, X., Chazelas, J.

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 351 KB

english, 2009

22 InP Optical Switching Matrix Based on Carrier-Induced Effects for 1.55-m Applications

Zegaoui, M., Choueib, N., Harari, J., Decoster, D., Magnin, V., Wallart, X., Chazelas, J.

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 369 KB

english, 2009

The Magnesium Oxide- Mono Aluminium Phosphate Reaction: Mechanism and Concentration Dependence

Borges, I., Wignacourt, J.P., Boivin, J.C., Nonat, A., Lorriaux-Rubbens, A., Wallart, F., Canini, J.M

Журнал:

Advanced Materials Research

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 469 KB

english, 1994

InAlAs–InGaAs Double-Gate HEMTs on Transferred Substrate

Wichmann, N., Duszynski, I., Wallart, X., Bollaert, S., Cappy, A.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 154 KB

english, 2004

[IEEE 1991 Symposium on VLSI Circuits - Oiso, Japan (May 30-June 1, 1991)] 1991 Symposium on VLSI Circuits - A Merged CBi-CMOS Gate Array With Emitter Follower Buffers

Boudon, G., Ogura, S., Tannhof, P., Wallart, F., Mollier, P., Nuez, J.P., Omet, D., Cullet, R., Plassat, D., Trauet, R., Mauchaufee, D.

Рік:

1991

Файл:

PDF, 148 KB

1991

Deep-level transient spectroscopy characterization of silicon-silicon interfaces

Stievenard, D., Wallart, X., Mathiot, D.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 797 KB

english, 1991

Auger and electron-energy-loss spectroscopy study of interface formation in the Ti-Si system

Wallart, X., Nys, J. P., Zeng, H. S., Dalmai, G., Lefebvre, I., Lannoo, M.

Журнал:

Physical Review B

Рік:

1990

Мова:

english

Файл:

PDF, 512 KB

english, 1990

AlSb nucleation induced anisotropic electron mobility in AlSb/InAs heterostructures on GaAs

Desplanque, L., El Kazzi, S., Codron, J.-L., Wang, Y., Ruterana, P., Moschetti, G., Grahn, J., Wallart, X.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 935 KB

english, 2012

phase by electron spectroscopies

Wallart, X., Nys, J. P., Tételin, C.

Журнал:

Physical Review B

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 330 KB

english, 1994

InP HBT Thermal Management by Transferring to High Thermal Conductivity Silicon Substrate

Thiam, Arame, Roelens, Yannick, Coinon, Christophe, Avramovic, Vanessa, Grandchamp, Brice, Ducatteau, Damien, Wallart, Xavier, Maneux, Cristell, Zaknoune, Mohammed

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1000 KB

english, 2014

Synthesis and characterization of low work function alkali oxide thin films for unconventional thermionic energy converters

Giorgis, V., Morini, F., Zhu, T., Robillard, J.-F., Wallart, X., Codron, J.-L., Dubois, E.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 764 KB

english, 2016

In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate

Desplanque, L, Bucamp, A, Troadec, D, Patriarche, G, Wallart, X

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.49 MB

english, 2018

Modalités de capture des anomalies cytogénétiques et moléculaires pour la leucémie aiguë, le myélome multiple, le syndrome myélodysplasique, le syndrome myéloprolifératif et le syndrome myélodysplasique/myéloprolifératif : recommandations de la Société francophone de greffe de moelle et de thérapie cellulaire (SFGM-TC)

Raus, Nicole, Karam, Micheline, Chebel, Réda, Dantin, Carole, Pereira, Maguy, Wallart, Anne, Yakoub-Agha, Ibrahim, Srour, Micha

Журнал:

Bulletin du Cancer

Рік:

2019

Файл:

PDF, 722 KB

2019

[IEEE 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - Nara, Japan (2019.5.19-2019.5.23)] 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - 1.2 THz maximum frequency of oscillation achieved by using 75 nm gate length and asymmetric gate recess for InGaAs/InAlAs PHEMT

Samnouni, M., Wichmann, N., Wallart, X., Coinion, C., Lepilliet, S., Bollaert, S.

Рік:

2019

Файл:

PDF, 778 KB

2019

Polarized Raman spectra of the non-linear and laser crystal Ca4GdO(BO3)3 (GdCOB)

A. Lorriaux-Rubbens, G. Aka, E. Antic-Fidancev, D. A. Keszler, F. Wallart

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 96 KB

english, 2000

Description of a zero-dispersion fore-monochromator for low frequency Raman spectrometry

M. Leclercq, F. Wallart

Журнал:

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 231 KB

english, 1973

Association Moléculaire et Paire Ionique dans le Verre et le Liquide du ‘Monohydrate de l'Acide Nitrique’

M. H. Herzog-Cance, J. Potier, A. Potier, P. Dhamelincourt, B. Sombret, F. Wallart

Журнал:

Рік:

1978

Файл:

PDF, 802 KB

1978

Raman spectra of caesium and rubidium tetrachloroaluminates in the solid state

A. Rubbens, F. Wallart, P. Barbier, G. Mairesse, J. P. Wignacourt

Журнал:

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 312 KB

english, 1978

Etude par Spectrométrie Raman Rapide de la Cinétique d'Addition de l'Acide Chlorhydrique à des Doubles Liaisons Conjuguées: Cas du cis-2, trans-4-Hexadiène

J. M. Beny, C. Bassez, B. Sombret, F. Wallart

Журнал:

Рік:

1979

Файл:

PDF, 515 KB

1979

Etude Structurale du Tétrachloroaluminate de Sodium: Comparaison des Spectres de Diffusion Raman de la Famille des MAlCl4 (M = Li, Na, K, Rb, Cs, NO, NH4) à l'Etat Solide

F. Wallart, A. Lorriaux-Rubbens, G. Mairesse, P. Barbier, J. P. Wignacourt

Журнал:

Рік:

1980

Файл:

PDF, 556 KB

1980

Etude par Spectroscopie et Microscopie Raman de Phases Oxyde de Molybdène Déposé sur Alumines

B. Sombret, P. Dhamelincourt, F. Wallart, A. C. Muller, M. Bouquet, J. Grosmangin

Журнал:

Рік:

1980

Файл:

PDF, 550 KB

1980

Use of time-resolved Raman spectroscopy for measuring mixing times and concentrations

B. W. Cook, J. D. Louden, A. Lorriaux-Rubbens, L. Nouël De Kerangue, M. Bridoux, F. Wallart

Журнал:

A. Lorriaux-Rubbens, F. Wallart, J. P. Wignacourt

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 444 KB

english, 1987

Raman and force-field studies of potassium tetrabromoindate in the solid state

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

1988

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 1988

Light-hole resonant tunnelling through tensile-strained GaInAs quantum wells

J.F. Lampin, X. Wallart, J.P. Gouy, F. Mollot

Журнал:

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 87 KB

english, 1998

A study of GaInP/GaAs interfaces: metallurgical coupling of successive quantum wells

O. Schuler, O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 78 KB

english, 1998

Iron silicide growth on Si(111) substrate using the metalorganic vapour phase epitaxy process

J.P. André, H. Alaoui, A. Deswarte, Y. Zheng, J.F. Pétroff, X. Wallart, J.P. Nys

Журнал:

Journal of Molecular Structure

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.04 MB

english, 1994

Raman rapid scanning experiments and applications

J.M. Beny, B. Sombret, F. Wallart, M. Leclercq

Журнал:

Рік:

1978

Мова:

english

Файл:

PDF, 392 KB

english, 1978

Time and/or space resolved laser Raman spectroscopy

M. Delhaye, M. Bridoux, F. Wallart

Журнал:

Journal of Molecular Structure

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.30 MB

english, 1982

Correlation between electrical and microscopic properties of TiSi interfaces

X Wallart, J.P Nys, H.S Zeng, G Dalmai

Журнал:

Vacuum

Рік:

1990

Мова:

english

Файл:

PDF, 271 KB

english, 1990

Early stages characterisation of the formation of TiSi2 on Si(100) or Si(111)

X. Wallart, J.P. Nys, G. Dalmai

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 339 KB

english, 1989

Electron spectroscopy study of the Fe/Si(111) interface formation and reactivity upon annealing

X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. Nys, G. Delmai

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 292 KB

english, 1992

Study of the epitaxy of β-FeSi2 by codeposition of Fe and Si on Si(111)

X. Wallart, J.P. Nys, O. Dehaese, G. Vincent

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 381 KB

english, 1993

A temporal fusion strategy for cross-camera data association

Cina Motamed, Olivier Wallart

Журнал:

Pattern Recognition Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.13 MB

english, 2007

Etude, en raman rapide et R.M.N. bande large, du processus transformation - devitrification - cristallisation d'un verre complexe : HN03.H20

M.H. Herzoc-Cance, J. Potier, A. Potier, J.M. Beny, B. Sombret, F. Wallart

Журнал:

Advances in Molecular Relaxation and Interaction Processes

Рік:

1979

Файл:

PDF, 946 KB

1979

Raman spectroscopic study of LiAlCl4/SOCl2/SO2 systems

M.C. Dhamelincourt, F. Wallart, P. Barbier, G. Mairesse, P. Descroix

Журнал:

M.C. Dhamelincourt, F. Wallart, J.P. Lelieur

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 1985

In situ micro-Raman study of discharge products of Li/SOCl2 cells

Журнал:

M.C. Dhamelincourt, F. Wallart, J. Corset

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 261 KB

english, 1987

Micro-raman study of electrode surface in Li/SOCl2 cells (extended abstract)

Журнал:

Spectrochimica Acta Part A: Molecular Spectroscopy

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 72 KB

english, 1989

Structural investigation of indium halide compounds: Single crystal Raman study of monohydrated potassium hexachloroindate

A. Lorriaux-Rubbens, F. Wallart, J.P. Wignacourt, P. Barbier, G. Mairesse

Журнал:

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 596 KB

english, 1981

Electron spectroscopy study of the FeSi(111) and FeSi2Si(111) interface formation

X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. Nys, G. Dalmai

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 1991

Temperature measurements of LT GaAs diodes

R. Westphalen, B. Boudart, D. Théron, X. Wallart, Y. Druelle, Y. Crosnier

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 303 KB

english, 1993

As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system

S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 192 KB

english, 2005

High In content pseudomorphic InGaAs layers for high-mobility heterostructures on InP (0 0 1)

X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 243 KB

english, 2005

MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications

D.A. Yarekha, S. Godey, X. Wallart, H. Colder, M. Zaknoune, F. Mollot

Журнал: